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Parameters
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Parameters：

  • Model：2SK2855
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：UT
  • Package：SOT-89

Drain-Source Voltage （Vds）  10V

Vgs(±)

Gate-Source Voltage

  6V
Drain Current （Id）  1A
Drain-Source On-State （Rds）  

Vgs （th）

Gate-Source Threshold Voltage

  1.0~1.8V
Power dissipation （Pd）  0.5W
Description & Applications  TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE
UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2855
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