Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SSM6N25TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS 12+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NH
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		500mA/0.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		145mΩ@ VGS = 4.0V, ID = 250mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.5~1.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) High Speed Switching Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low on-resistance: Ron = 395mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 190mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅N沟道MOS类型（U-MOSIII） 高速开关应用 •最适用于高密度安装在小包装 •低导通电阻RON =395mΩ（最大）（@ VGS=1.8 V） RON=190mΩ（最大）（@ VGS= 2.5 V） RON =145mΩ（最大）（@ VGS=4.0 V）

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6N25TU
*Title：
Message：
*Code：