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Inventory:2303 Min Order：10
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  • Model：SI8424DB-T1-E1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+rohs 11+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：8424
  • Package：2X2 4-MFP

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage8V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage5V
最大漏极电流Id Drain Current12.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.031Ω/Ohm @1A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.35-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation6.25W
Description & ApplicationsN-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET Power MOSFET • Industry First 1.2 V Rated MOSFET • Ultra Small MICRO FOOTChipscale Packaging Reduces Footprint Area, Profile (0.62 mm) and On-Resistance Per Footprint Area
描述与应用1.2-V的N沟道MOSFET（G-S） •TrenchFET功率MOSFET •业界首款1.2 V额定MOSFET •超小型MICRO FOOT 芯片级 包装减少占位面积，简介 （0.62毫米），每占位面积导通电阻

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI8424DB-T1-E1
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