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Inventory:17000 Min Order：10
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  • Model：2SC6126
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09+rohs
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：4M
  • Package：SOT-89

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 3A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		  
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 100~400
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		 0.18V
耗散功率Pc
Power Dissipation		 1.0~2.5W
Description & Applications TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. High-Speed Switching Applications. DC-DC Converter Applications. LCD Backlighting Applications. *High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC= 0.3 A). * Low collector-emitter saturation: VCE(sat) = 0.18 V (max). * High-speed switching: tf = 40 ns (typ.).
描述与应用 东芝晶体管NPN硅外延型。 高速开关应用。 DC-DC转换器应用。 LCD背光应用。 *高直流电流增益：HFE=250〜400（IC= 0.3 A）。 *低集电极 - 发射极饱和：VCE（星期六）= 0.18 V（最大值）。 *高速开关：TF=40 ns（典型值）。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SC6126
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