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Inventory:7000 Min Order：10
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  • Model：2SC5307
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：AA
  • Package：SOT-89

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 400V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 400V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 50mA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		  
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 80~300
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		 0.4~1V
耗散功率Pc
Power Dissipation		  
Description & Applications TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type. High Voltage Switching Applications. *High breakdown voltage : VCEO = 400 V. * Low collector-emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (IC = 20 mA, IB = 0.5 mA).
描述与应用 东芝晶体管的硅NPN三重扩散类型。 高电压开关应用。 *高击穿电压：VCEO=400 V *低集电极 - 发射极饱和电压 ：VCE（星期六）= 0.4V（典型值）（IC= 20 mA时，IB=0.5毫安）。

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SC5307
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