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Inventory:2800 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：2N7002DW
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：2N
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		115mA/0.115A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		2.53Ω@ VGS = 10V,ID = 0.5A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1~2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant
描述与应用N沟道增强型场效应晶体管 特点 •双N沟道MOSFET •低导通电阻 •低栅极阈值电压 •低输入电容 •开关速度快 •低输入/输出漏 •超小型表面贴装封装 •无铅/ RoHS标准

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2N7002DW
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