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Parameters
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Parameters：

  • Model：BFU725F/N1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS 11+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：B7T
  • Package：SOT-343

V(BR)CBO

Collector-Base Voltage

  10V

V(BR)CEO

Collector-Emitter Voltage

  2.8V
Collector Current(IC)  40MA
Transtion Frequency(fT)  55GMHZ
DC Current Gain(hFE)  160~400

VCE（sat）

Collector-Emitter Saturation Voltage 

  

Power dissipation　（Pd）

  0.136W
Description & Applications   Low noise high gain microwave transistor
 Noise figure (NF) = 0.7 dB at 5.8 GHz
 High maximum stable gain 27 dB at 1.8 GHz
 110 GHz fT silicon germanium technology

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BFU725F/N1
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