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  • Model：2SK3325B-ZK-E2-AY
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：08+ROHS 08NOPB
  • Standard Package：800
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K3325B
  • Package：TO-263

Drain-Source Voltage （Vds）  500V

Vgs(±)

Gate-Source Voltage

  30V
Drain Current （Id）  10A
Drain-Source On-State （Rds）  0.65Ω~0.85Ω

Vgs （th）

Gate-Source Threshold Voltage

  
Power dissipation （Pd）  
Description & Applications  SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
• Low gate charge:
QG = 22 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)
• Gate voltage rating: ±30 V
• Low on-state resistance
RDS(on) = 0.85 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)
• Avalanche capability ratings
• TO-220AB, TO-262, TO-263 package

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3325B-ZK-E2-AY
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