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  • Model：DMN32D2LDF-7
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+ROHS 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KDV
  • Package：SOT-353/SC70-5

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		10V
最大漏极电流Id
Drain Current		400mA/0.4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		2.2Ω@ VGS = 1.8V, ID = 20mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6~1.2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		280mW/0.28W
Description & ApplicationsCOMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Common Source Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V max • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Small Surface Mount Package • ESD Protected Gate • Lead Free By Design/RoHS Compliant • "Green" Device • Qualified to AEC-Q 101 Standards for High Reliability
描述与应用通用源双N沟道增强型场效应晶体管 特点 •通用源双N沟道MOSFET •低导通电阻 •非常低的栅极阈值电压，1.2V最大 •低输入电容 •开关速度快 •低输入/输出漏 •小型表面贴装封装 •ESD保护门 •对无铅要求的设计/符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求 •“绿色”设备 •符合AEC-Q101标准的高可靠性

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
DMN32D2LDF-7
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