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Inventory:38950 Min Order：10
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  • Model：STD123S
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：123
  • Package：SOT-23

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 15V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 260MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 150
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		 100mV/0.1V
耗散功率Pc
Power Dissipation		 350mW/0.35W
Description & Applications Features • NPN Silicon Transistor • Low saturation medium current application • Extremely low collector saturation voltage • Suitable for low voltage large current drivers • High DC current gain and large current capability • Low on resistance : RON=0.6Ω(Max.) (IB=1mA)
描述与应用 特点 •NPN硅晶体管 •低饱和中等电流应用 •极低的集电极饱和电压 •适用于低电压大电流驱动器 •高直流电流增益和大电流容量 •低导通电阻RON=0.6Ω（最大）（IB=1MA）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
STD123S
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