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  • Model：TPCF8105
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+rohs 12+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：F3E
  • Package：1206-8/vs-8/SOT23-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		 -20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		 12V
最大漏极电流Id
Drain Current		 -6A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		 0.024Ω @-3A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		 -0.5--1.2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		 2.5W
Description & Applications Small footprint due to a small and thin package Low drain-source on-resistance: RDS(ON)= 24 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -20 V) Enhancement mode: Vth = -0.5 to -1.2 V (VDS = -10 V, ID = -0.5 mA)
描述与应用 由于占地面积小，小而薄的封装 低漏源电阻RDS（ON）= 24m（典型值）（VGS=-4.5 V） 低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-20 V） 增强模式：VTH =-0.5〜-1.2 V（VDS=-10 V，ID=-0.5毫安）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TPCF8105
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