集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
10V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
5V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
40mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
12GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~160 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
耗散功率Pc
Power Dissipation |
175mW/0.175W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type. * VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications. * Low Noise Figure: NF = 1.6dB (Typ.) (@f = 2GHz) . * High Gain: |S21e|2 = 9dB (Typ.) (@f = 2 GHz). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延平面型。 * VHF??UHF波段低噪声放大器应用。 *低噪声系数：NF=1.6分贝（典型值）（@ F =2GHz的）。 *高增益：S21E| 2=9分贝（典型值）（@ F =2GHZ）。 |