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Inventory:2420 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：MMBF170
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+ROHS 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：6Z
  • Package：SOT-23

Drain-Source Voltage （Vds）  60V

Vgs(±)

Gate-Source Voltage

  20V
Drain Current （Id）  500MA
Drain-Source On-State （Rds）  VGS = 10V, ID = 200mA RDS=1.5~5Ω

Vgs （th）

Gate-Source Threshold Voltage

  0.8~3v
Power dissipation （Pd）  300mw
Description & Applications  N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
■ High density cell design for low RDS(ON).
■ Voltage controlled small signal switch.
■ Rugged and reliable.
■ High saturation current capability.

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
MMBF170
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