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Inventory:3000 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：SI5515CDC
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09NOPB 09NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：EHU
  • Package：1206-8/vs-8/SOT23-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		 20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		 8V/8V
最大漏极电流Id
Drain Current		 10A/-10A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		 50mΩ@ VGS =1.8V, ID =5.1A/156mΩ@ VGS =-1.8V, ID =-2.5A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		 0.4~0.8V/-0.4~-0.8V
耗散功率Pd
Power Dissipation		 3.1W
Description & Applications N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Trench FET Power MOSFETs • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch for Portable Devices
描述与应用 N沟道和P沟道20 V（D-S）的MOSFET 特点  •无卤素根据IEC 61249-2-21定义  •沟槽FET功率MOSFET  •100％的Rg测试  •符合RoHS指令2002/95/EC 应用  •用于便携式设备的负载开关

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI5515CDC
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