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Inventory:30000 Min Order：1
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  • Model：2SA2065
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：08+ROHS 08+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：1
  • Mark/silk print/code/type：WK
  • Package：SOT-23

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 -20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 -20V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 -1.5A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		  
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 125~500
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		 0.14V/140mV
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		 500mW/0.5W
Description & Applications TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type . High-Speed Switching Applications. DC-DC Converter Applications. Strobe Applications . * High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.15 A) . * Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = -0.14 V (max) . * High-speed switching: tf = 37 ns (typ.)
描述与应用 东芝晶体管的硅PNP外延型。 高速开关应用。 DC-DC转换器应用。 频闪应用。 *高直流电流增益：HFE=200??500（IC= -0.15）。 *低集电极 - 发射极饱和电压VCE（星期六）=-0.14 V（最大值）。 *高速开关：TF=37 ns（典型值）。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SA2065
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