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Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SA1036K PNP transistors（BJT） -40V -500mA/-0.5A 200MHz 82~180 -600mV/-0.6V SOT-23/SMT3 marking 2F low voltage operating
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
−40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
−32V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
−500mA/-0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
82~390 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage |
-400mV/-0.4V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications | APPLICATION * Medium Power Amplifier . FEATURE * Surface mount package. (SOT-23) * Low saturation voltage VCE(sat)=-0.4V(max.)(IC=-100mA) * Low cob. Cob=7.0pF(Typ.) * PC= 200mW (mounted on ceramic substrate). * High saturation current capability |
| 描述与应用 | 应用 *中功率放大器。 特写 *表面贴装封装。 （SOT-23） *低饱和电压VCE（sat）=-0.4V（最大值）（IC=-100MA） *低电容。 COB=7.0pF（平均值） * PC=200MW（安装在陶瓷基板）。 *高饱和电流能力 |
