Scavenging browsing Mobile
Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SA1813 PNP transistors（BJT） -30V -150mA/-0.15A 210MHz 500~1200 -150mV/-0.15V SOT-323/MCP marking KS low-frequency general amplifier/ driver
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −25V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | −150mA/-0.15A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 210MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 500~1200 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −150mV/-0.15V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications Features · Very small-sized package permitting 2SA1813-applied sets to be made smaller and slimmer. · Adoption of FBET process. · High DC current gain (hFE=500 to 1200). · Low collector-to-emitter saturation voltage(VCE(sat)≤0.3V). · High VEBO (VEBO≥15V). |
| 描述与应用 | 低频通用放大器驱动器，静音电路应用 特点 ·小型封装允许2SA1813应用设置做得更小，更薄。 ·采用的FBET过程。 ·高DC电流增益（电流增益（hFE）=500〜1200）。 ·低集电极 - 发射极饱和电压（VCE（sat）的≤0.3V）。 ·高VEBO（VEBO≥15V） |
