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Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SD2537 NPN Transistors(BJT) Vcbo=30V Vceo=25v Ic=1.2A ft=200MHz HFE=820~1800 Vce=300mV/0.3V SOT-89/SC-62/MPT3 marking DVV
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
25V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
1.2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
820~1800 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications | Medium Power Transistor (25V, 1.2A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VEBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=500mA/10mA) |
| 描述与应用 | 中等功率晶体管（25V，1.2A） 特点 1）高DC电流增益。 2）高发射基地电压。 （VEBO12V） 3）低饱和电压。 （最大VCE（sat）=0.3V IC / IB=500mA/10mA） |
