Scavenging browsing Mobile
Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
UPA1950TE Complex FET -12V 2.5A SOT-163/SOT23-6 marking TM power switch 1.8V drive
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 2.5A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance | 130mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -1500mA |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -0.45~-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 570mW/0.57W |
| Description & Applications | P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The μPA1950 is a switching device which can be driven directly by a 1.8 V power source. This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • 1.8 V drive available • Low on-state resistance RDS(on)1 = 130 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –1.5 A) RDS(on)2 = 176 mΩ MAX. (VGS = –3.0 V, ID = –1.5 A) RDS(on)3 = 205 mΩ MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –1.5 A) RDS(on)4 = 375 mΩ MAX. (VGS = –1.8 V, ID = –1.0 A) |
| 描述与应用 | P沟道MOS场效应晶体管 说明 的的μPA1950是可驱动的开关装置 直接由1.8 V电源。 该器件具有低通态电阻和优良的 的开关特性，以及适合的应用，如 便携机的电源开关等。 特点 •1.8 V可驱动 •低通态电阻 RDS（on）1 =130mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-1.5） RDS（on）2 =176mΩ最大。 （VGS= -3.0 V，ID=-1.5 A） RDS（on）3 =205mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-1.5） RDS（on）4 =375mΩ最大。 （VGS=-1.8 V，ID=-1.0 A） |
