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MMBTA42LT1 NPN Transistors(BJT) 300V 500mA/0.5A 50Mhz 40 500mV/0.5V SOT-23/SC-59 marking 1D high voltage
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 300V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 300V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 500mA/0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 50Mhz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 40 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 225mW/0.225W |
| Description & Applications | High Voltage Transistors NPN Silicon Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish |
| 描述与应用 | 高电压晶体管 NPN硅 可能提供无铅封装。 G-后缀表示 无铅牵头完成 |
