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RTAN140M NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) 40V 400mA/0.4A 10k SOT-323/SC-70 marking QB
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 40v |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 400mA/0.4A |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ/Ohm |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | |
| 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio | |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 820 |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 36MHz |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.2W/200mW |
| Description & Applications | ・Built-in bias resistor (R1=10kΩ) ・Small package for easy mounting. ・High reverse hFE ・Small collector to emitter saturatin voltage. VCE(sat)=10mV(TYP)（@IC=10mA/IB=0.5mA） Low on Resistane Ron=0.94Ω(TYP.)（@VI=7V） |
| 描述与应用 | 内置偏置电（R1=10KΩ） ·易于安装的小型装 ·高反向HFE ·小集电极到发射极饱和电压。 VCE（星期六）=10mV的（典型值）（@ IC=10mA/IB=0.5毫安） 低导通电阻 罗恩=0.94Ω（典型值）（@ VI= 7V） |
