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BCW60FN NPN 32V 0.1A HEF=380~630 125MHZ SOT23 MARKING AN
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
32V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
100MA/0.1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
380~630 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.12V~0.55V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
330MW/0.33W |
| Description & Applications | * NPN Silicon AF Transistors. * For AF input stages and driver applications. * High current gain. * Low collector-emitter saturation voltage. * Low noise between 30 Hz and 15 kHz. |
| 描述与应用 | * NPN硅晶体管自动对焦。 * 对于AF输入级和驱动器应用。 * 高电流增益。 * 低集电极 - 发射极饱和电压。 * 30 Hz和15千赫之间的低噪音。 |
