Please log in first
Home
Cart0
Inventory:3000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2N7002E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：702
  • Package：SOT-323/SC-70

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current250mA/0.25A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance1.7Ω/Ohm @250mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) High density cell design for low RDS(ON). Suitable for high packing density.
描述与应用表面贴装 N沟道增强型场效应晶体管 特性 N沟道增强型场效应晶体管 小型表面贴装型。 （SC-70/SOT-323） 高密度单元设计的低漏源导通电阻）。 适用于高包装密度。

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2N7002E
*Title：
Message：
*Code：