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Inventory:657 Min Order：10
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  • Model：2SK1284-Z-E1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K1284
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.26Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR Low on-state resistance Low Ciss Css=500 pF TYP Built-in G-S gate protection diode
描述与应用MOS场效应功率晶体管 低通态电阻 低西斯CSS=500 pF（典型值） 内置G-S栅极保护二极管

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1284-Z-E1
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