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  • Model：2SK2596
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BX
  • Package：SOT-89/UPAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage17V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation3W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier High power output, High gain, High efficiency Compact package capable of surface mounting
描述与应用硅结场效应晶体管（小信号） 硅N沟道结型场效应管 对于开关的低频放大 特性 硅N沟道MOS FET UHF功率放大器 高输出功率，高增益，高效率 紧凑封装，能够表面安装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2596
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