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Inventory:45100 Min Order：10
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  • Model：2SK3107
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：03/05+ 07NOPB100
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：D1
  • Package：SOT-523/SC-75

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING DESCRIPTION The 2SK3107 is a switching device which can be driven directly by a 2.5-V power source. The 2SK3107 has excellent switching characteristics, and is suitable for use as a high-speed switching device in digital circuits. Features N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING Can be driven by a 2.5 V power source Low gate cut-off voltage
描述与应用MOS场效应晶体管 N沟道MOS场效应晶体管 用于高速开关 说明 2SK3107是一种开关装置，可直接由一个驱动 2.5-V电源。 2SK3107具有优良的开关特性，适合用作一个高速数字电路中的开关器件。 特性 N沟道MOS场效应晶体管 用于开关 可以由一个2.5 V电源 低栅极截止电压

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3107
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