Please log in first
Home
Cart0
Inventory:30 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SK3377-Z-E2
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K3377
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current20A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.035Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low On-state Resistance RDS(on)1 = 44 mΩ MAX (VGS = 10 V, ID = 10 A) RDS(on)2 = 78 mΩ MAX(VGS = 4.0 V, ID = 10 A) Low Ciss : Ciss = 760 pF TYP Built-in Gate Protection Diode TO-251/TO-252 package
描述与应用MOS场效应晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低导通电阻 RDS（上）1=44mΩ最大（VGS= 10 V，ID=10 A） RDS（）2=78mΩ最大（VGS=4.0 V，ID= 10 A） 低CISS：西斯= 760 pF（典型值） 内置门保护二极管 TO-251/TO-252包装

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3377-Z-E2
*Title：
Message：
*Code：