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Inventory:81000 Min Order：10
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  • Model：2SK3576
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB 05+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：XK
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.04Ω/Ohm @2A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION he 2SK3576 is a switching device which can be driven directly by a 2.5 V power source. The device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. Features N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING 2.5V drive available Low on-state resistance
描述与应用MOS场效应晶体管 N-沟道MOS场效应晶体管的开关 说明 他2SK3576是一个开关装置，可驱动直接由2.5 V电源。 该器件具有低通态电阻和优良的 开关特性，是适合于应用程序，如电源开关便携机等。 特性 N沟道MOS场效应晶体管 对于开关 2.5V可用驱动 低通态电阻

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3576
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