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Inventory:580 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：3SK135A
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：U65
  • Package：SOT-143

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-2/-0.7
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP. FOR VHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP. FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PIN MINI MOLD Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner Low Ciss High gain Low NF
描述与应用MOS场效应晶体管 射频放大器。 VHF电视调谐器 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4PIN MINI模具 特性 MOS场效应晶体管 射频放大器 UHF电视调谐 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4 引脚 迷你模具 适合用于UHF电视调谐器中RF放大器 Ciss低 高增益 低NF

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK135A
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