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Inventory:4300 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：3SK181
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：EJ5
  • Package：SOT-143/CP4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage15V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10/10V
最大漏极电流Id Drain Current30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0-1.3/0.1-1.6V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP. AND MIXER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICON FET(DUAL GATE) High-frequency general-purpose amp applications FM tuners and VHF tuners Easy AGC(cut off at V=0V) High power gain and low noise figure High forward transfer admittance
描述与应用MOS场效应晶体管 射频放大器。 CATV调谐器和混频器 硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4引脚MINI模具 特性 N沟道增强MOS硅场效应管（双门） 高频通用放大器的应用 FM调谐器和甚高频调谐 易AGC（切断V=0V） 高功率增益和低噪声系数 高正向转移导纳

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK181
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