Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：3SK274
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：UN
  • Package：SOT-343

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-9V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		6mA-20mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		-0.7V -- -1.8V
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTER .GaAs N-channel Dual Gate MES FET. Applications: TV TUNER,UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS.
描述与应用东芝场效应型晶体管 .砷化镓N沟道双栅MES FET .应用; 电视调谐器，超高频 RF放大器.

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK274
*Title：
Message：
*Code：