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  • Model：AP2302GN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：N2
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current3.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.085Ω/Ohm 3.6A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation1.38W
Description & ApplicationsAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination ofastswitching, low on-resistance and cost-effectiveness.
描述与应用高级电源 N沟道增强模式 功率MOSFET 先进的功率MOSFET提供从APEC 设计师与快速切换的最佳组合， 低导通电阻和成本效益

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
AP2302GN
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