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  • Model：BF996S
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：MH
  • Package：SOT-143

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-channel dual-gate MOS-FET DESCRIPTION Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 microminiature package with interconnected source and substrate. FEATURES • Protected against excessive input voltage surges by integrated back-to-back diodes between gates and source. APPLICATIONS • RF applications such as: – UHF television tuners – Professional communication equipment. DESCRIPTION Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 microminiature package with interconnected source and substrate.
描述与应用N沟道双栅MOS-FET 说明 耗尽型场效应晶体管在一个塑料SOT143 超小型封装与互连源 和衬底 特点 •防止过高的输入电压浪涌门和源之间的集成-to-back二极管。 应用 •射频应用，如： - UHF电视调谐器 - 专业的通信设备。 说明 SOT143超小型封装在一个塑料带相互连接的源极和衬底的耗尽型场效应晶体管。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BF996S
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