Please log in first
Home
Cart0
Inventory:160 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：HAT2096H
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：2096
  • Package：LFPAK

Drain-Source Voltage （Vds）  30V

Vgs(±)

Gate-Source Voltage

  20V
Drain Current （Id）  40A
Drain-Source On-State （Rds）  ID = 20 A, VGS = 10 V  RDS=4.2~5.3mΩ
ID = 20 A, VGS = 4.5 V RDS=7~10mΩ

Vgs （th）

Gate-Source Threshold Voltage

  
Power dissipation （Pd）  20W
Description & Applications  Silicon N Channel Power MOS FET 
Power Switching 
 
Capable of 4.5 V gate drive 
• Low drive current 
• High density mounting 
• Low on-resistance

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HAT2096H
*Title：
Message：
*Code：