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Inventory:6100 Min Order：10
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  • Model：MGSF2N02ELT1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NT
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current2.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.085Ω/Ohm @3.6A,4.5v
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & ApplicationsPower MOSFET 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. • Pb−Free Packages are Available • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • IDSS Specified at Elevated Temperature
描述与应用功率MOSFET 2.8安培，20伏，N沟道SOT-23 这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（ON）保证 最小的功率损耗，节约能源，使这些设备的理想选择 使用空间敏感的电源管理电路。 •无铅包可用 •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •IDSS指定高温

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
MGSF2N02ELT1
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