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Inventory:2500 Min Order：10
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  • Model：NDT451AN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：01+ 05+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：451A
  • Package：SOT-223/SC-73/TO261-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current7.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.05Ω/Ohm 6A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation3W
Description & ApplicationsN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed. High density cell design for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability in a widely used surface mount package
描述与应用N沟道增强型场效应晶体管 概述 电源SOT N沟道增强模式电源领域 场效应晶体管都采用飞兆半导体 专有的，高密度，DMOS技术。这很 高密度的过程特别是针对减少 通态电阻和提供优越的开关 性能。这些器件特别适用于低 直流电动机的控制和DC / DC电压应用，如 转换快速开关，低线的功率损耗， 以及抗瞬变是必要的。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 一种广泛使用的高功率和电流处理能力 表面贴装封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
NDT451AN
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