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  • Model：SI3434DV
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current4.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance50mΩ@ VGS =2.5V, ID =2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.6V
耗散功率Pd Power Dissipation1.14W
Description & ApplicationsN-Channel 30-V (D-S) MOSFET Trench FET Power MOSFET Applications Li-lon Battery Protection
描述与应用N沟道30-V（D-S）的MOSFET沟槽FET功率MOSFET 应用 锂离子电池保护

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3434DV
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