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Inventory:17 Min Order：10
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  • Model：SSM6L09FU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+ROHS 06+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K5
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V/-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V/20V
最大漏极电流Id
Drain Current		400mA/-200mA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		700mΩ@ VGS = 10V, ID = 200mA/ 2700mΩ@ VGS = -10V, ID =-100mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1.1~1.8V/-1.1~-1.8V
耗散功率Pd
Power Dissipation		300mW/0.3W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Q1: Ron = 0.7 Ω (max) (@VGS = 10 V) Q2: Ron = 2.7 Ω (max) (@VGS = −10 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N/ P沟道MOS类型 电源管理开关 高速开关应用 小型封装 低Q1阻力：RON =0.7Ω（最大）（@ VGS= 10 V） Q2：RON =2.7Ω（最大值）（@ VGS=-10 V）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6L09FU
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