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Inventory:9440 Min Order：10
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  • Model：TPC6102
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+ROHS 05+NOPB3200
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：S3B
  • Package：SOT-163/SOT23-6/VS-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-4.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		60mΩ@ VGS = -10V, ID = -2.2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.8~-2.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U-MOSII) NOTEBOOK PC PORTABLE EQUIPMENTS APPLICATIONS Low drain-source on resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement-model
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS型（U-MOSII） 笔记本电脑 便携式设备应用 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模型

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TPC6102
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