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Inventory:120 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：MP6K61FU7
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09+NOPB 09+NOPB
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：MP6K61
  • Package：MPT6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		77mΩ@ VGS =4V, ID =5A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1~2.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & Applications4V Drive Nch+Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. Application Switching
描述与应用4V驱动N沟道+ N沟道MOSFET 特点 1）低导通电阻。 2）内置G-S的保护二极管。 应用 交换

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
MP6K61FU7
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