集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 300V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 300V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 50MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 40 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | NPN high-voltage transistors FEATURES • High current (max. 500 mA) • High voltage (max. 200 V). APPLICATIONS • High-voltage switching in telephony applications. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT323 plastic package. |
| 描述与应用 | NPN高电压晶体管 特点 •高电流（最大500毫安） •高电压（最大200 V）。 应用 •在电话应用高压开关。 说明 NPN高压晶体管在SOT323塑料包装。 |