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Inventory:9000 Min Order：10
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  • Model：SSM6N7002AFU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+ROHS 10+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NK
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		200mA/0.2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		3Ω@ VGS = 10V, ID = 500mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1.0~2.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type • High-Speed Switching Applications • Analog Switch Applications • Small package • Low ON-resistance : Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 3.2 Ω (max) (@VGS = 5 V) : Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 10 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 •高速开关应用 •模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻：RON =3.3Ω（最大值）（@ VGS= 4.5 V） RON=3.2Ω（最大）（@ VGS= 5 V） ：RON =3.0Ω（最大值）（@ VGS= 10 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6N7002AFU
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