集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | −32V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 40MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 100~250 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 1.35W |
| Description & Applications | PNP medium power transistor FEATURESFEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 20 V). APPLICATIONS • Low voltage, high current LF applications. |
| 描述与应用 | PNP中等功率晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大20 V）。 应用 •低电压，高电流的低频应用 |