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Inventory:750 Min Order：10
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  • Model：BFS17LT1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：E1D
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		25V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		15V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		25mA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		1.3GHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		20~150
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		400mV/0.4V
耗散功率Pc
Power Dissipation		350mW/0.35W
Description & ApplicationsNPN silicon High-Frequency transistor Designed primarily for use in high–gain, low–noise amplifier, oscillator and mixer applications. Packaged for thick or thin film circuits using surface mount components.
描述与应用NPN硅高频晶体管 主要设计用于在高增益，低噪声放大器，振荡器和混频器应用中使用。包装厚膜或薄膜电路，采用表面贴装元件。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BFS17LT1
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