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  • Model：SSM6K34TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KNC
  • Package：SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88/US6

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance77mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.3~2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Current Switching Applications Power Management Switch Applications • 4.5Vdrive • Low on resistance: :Ron = 77 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) :Ron = 50 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高电流开关应用 电源管理开关应用 •4.5Vdrive •低电阻:: RON =77MΩ（最大）（@ VGS= 4.5 V） ：RON= 50MΩ（最大）（@ VGS=10 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6K34TU
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