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Inventory:1000 Min Order：10
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  • Model：2SA1200-Y
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BY
  • Package：SOT-89

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 -150V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 -150V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 -50mA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 120MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 70~240
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		 -0.8V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		 800mW/0.8W
Description & Applications TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type (PCT process) . * High Voltage Switching Applications . * High voltage: VCEO = −150 V . * High transition frequency: fT = 120 MHz (typ.). * Small flat package . * PC = 1 to 2 W (mounted on a ceramic substrate) . * Complementary to 2SC2880.
描述与应用 TOSHIBA晶体管的硅PNP三重扩散类型（PCT程序）。 *高电压开关应用. *高电压：VCEO=-150 V. *高转换频率：FT =120兆赫（典型值）. *小型扁平封装. * PC= 12 W（安装在陶瓷基板上）. *互补2SC2880.

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SA1200-Y
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