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  • Model：2SK2145-GR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS 12+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：XG
  • Package：SOT-153/SOT23-5/SOT-25/SMV

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		50V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-50V
最大漏极电流Id
Drain Current		2.6mA~6.5mA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		-0.2V~-1.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		300mW/0.3W
耗散功率Pd
Power Dissipation		Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications • Including two devices in SM5 • High |Yfs|: |Yfs| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, Rg = 1 kΩ • High input impedance: IGSS = −1 nA (max) at VGS = −30 V
Description & Applications场效应晶体管的硅N沟道结型 音频频率低噪声放大器的应用 •包括两个设备SM5 •高| YFS|：| YFS|= 15毫秒（典型值），在VDS=10V，VGS=0 •高击穿电压：VGDS=-50 V •低噪音：NF=1.0分贝（典型值） 在VDS= 10 V，ID=0.5毫安，F=1千赫，RG=1kΩ的 •高输入阻抗：在VGS=-30 V IGSS= -1nA（最大值）
描述与应用

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2145-GR
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