集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
12V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
800MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
<300mV/0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features •High frequency amplifier transistor,RF switching (6V, 50mA) •Very low output-on resistance (Ron). •Low capacitance. |
| 描述与应用 |
特点 •高频晶体管放大器，RF开关（6V，50毫安） •非常低的输出电阻（Ron） •低电容。 |