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Inventory:11988 Min Order：10
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  • Model：2SJ0536
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+1rNOPB 05+NOPB1800
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：2C
  • Package：SOT-323/SC-70

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		±20V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		−100mA/-0.1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon P-Channel MOS FET Features High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing. Low-voltage drive (Vth： −1 to 2V) Low Ron
描述与应用硅P沟道MOS FET 特点 高速开关 S-迷你型包装，使瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装。 低电压驱动（VTH：-1至2V）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ0536
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