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Inventory:22650 Min Order：10
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  • Model：2SK2569ZN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZN
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance2.0Ω/Ohm @100mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET Low frequency power switching Features Silicon N-Channel MOS FET Low on-resistance 2.5V gate drive device Small package (MPAK)
描述与应用硅N沟道MOS FET 低频电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 2.5V栅极驱动器 小型封装（MPAK）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2569ZN
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